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    納米粒度及zeta電位儀

    更新時間:2025-04-02

    NANOTRAC WAVE II采用優良的“Y"型光纖探針光路設計,配置膜電極產生微電場,操作簡單,測量迅速,無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層,無需外加大功率電場,無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池,*消除由于空間位阻(不同光學元器件間的傳輸損失,比色皿器壁的折射和污染,比色皿位置的差異,分散介質的影響,顆粒間多重散射等)帶來的光學信號的損失,結果準確可靠,重現性好。
    • 產品詳情

    納米粒度測量——優良的動態光背散射技術

    Zeta電位測量:Microtrac MRB以其在激光衍射/散射技術和顆粒表征方面的獨到見解,經過多年的市場調研和潛心研究,開發出新一代NANOTRAC WAVE II微電場分析技術,融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測量于一體,無需傳統的比色皿,一次進樣即可得到準確的粒度分布和Zeta電位分析數據。與傳統的Zeta電位分析技術相比,NANOTRAC WAVE II采用優良的“Y"型光纖探針光路設計,配置膜電極產生微電場,操作簡單,測量迅速,無需精確定位由于電泳和電滲等效應導致的靜止層,無需外加大功率電場,無需更換分別用于測量粒度和Zeta電位的樣品池,*消除由于空間位阻(不同光學元器件間的傳輸損失,比色皿器壁的折射和污染,比色皿位置的差異,分散介質的影響,顆粒間多重散射等)帶來的光學信號的損失,結果準確可靠,重現性好。


    測量原理:

    粒度測量:動態光背散射技術和全量程米氏理論處理

    Zeta電位測量:膜電極設計與“Y"型探頭形成微電場測量電泳遷移率

    分子量測量:水力直徑或德拜曲線


    光學系統:

    3mW780nm半導體固定位置激光器,通過梯度步進光纖直接照射樣品,在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號,無需校正光路


    軟件系統:

    優良的FLEX軟件提供強大的數據處理能力,包括圖形,數據輸出/輸入,個性化輸出報告,及各種文字處理功能,如PDF格式輸出, Internet共享數據,Microsoft Access格式(OLE)等。體積,數量,面積及光強分布,包括積分/微分百分比和其他分析統計數據。數據的完整性符合21 CFR PART 11安全要求,包括口令保護,電子簽名和指定授權等。


    外部環境:

    電源要求:90-240VAC,5A,50/60Hz

    環境要求:溫度,10-35°C

    國際標準:符合ISO13321,ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008


    主要特點:

    • 采用優良的動態光散射技術,引入能普概念代替傳統光子相關光譜法

    • “Y"型光纖光路系統,通過藍寶石測量窗口,直接測量懸浮體系中的顆粒粒度分布,在加載電流的情況下,與膜電極對應產生微電場,測量同一體系的Zeta電位, 避免樣品交叉污染與濃度變化。

    • 異相多譜勒頻移技術,較之傳統的方法,獲得光信號強度高出幾個數量級,提高分析結果的可靠性。

    • 可控參比方法(CRM),能精細分析多譜勒頻移產生的能譜,確保分析的靈敏度。

    • 超短的顆粒在懸浮液中的散射光程設計,減少了多重散射現象的干擾,保證高濃度溶液中納米顆粒測試的準確性。

    • 快速傅利葉變換算法(FFT,Fast FourierTransform Algorithm Method),迅速處理檢測系統獲得的能譜,縮短分析時間。

    • 膜電極設計,避免產生熱效應,能準確測量顆粒電泳速度。

    • 無需比色皿,毛細管電泳池或外加電極池,僅需點擊Zeta電位操作鍵,一分鐘內即可得到分析結果

    • 消除多種空間位阻對散射光信號的干擾,諸如光路中不同光學元器件間傳輸的損失,樣品池位置不同帶來的誤差,比色皿器壁的折射與污染,分散介質的影響,多重散射的衰減等,提高靈敏度。

    產品參數
    粒度分析范圍0.3nm-10µm
    重現性誤差≤1%
    濃度范圍100ppb-40%w/v
    檢測角度180°
    分析時間30-120秒
    準確性全量程米氏理論及非球形顆粒校正因子
    測量精度無需預選,依據實際測量結果,自動生成單峰/多峰分布結果
    理論設計溫度0-90℃,可以進行程序升溫或降溫
    兼容性水相和有機相





     

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